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 Growth Characterization of Low-Temperature MOCVD GaN–Comparison between N2H4 and NH3– 低温MOCVD GaN的生长表征——N2H4和NH3-的比较
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shinji Fujieda; Masashi Mizuta; Yoshishige Matsumoto 出版日期：2005-11-04 |
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