In situ P-doping induced Se vacancies enhance the supercapacitor performance of NiCo2Se4

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标题	In situ P-doping induced Se vacancies enhance the supercapacitor performance of NiCo2Se4 原位P掺杂Se空位对NiCo2Se4超级电容器性能的影响
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2024/CE/D4CE00048J
DOI	10.1039/d4ce00048j doi
其它	期刊：CrystEngComm 作者：Miaomiao Wang; Weizhe Liu; Li Zhang; Huanli Liu; Xiao Yang 出版日期：2024-04-05
求助人	曙光在 2024-04-06 19:02:57 发布自山东，悬赏 10 积分
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