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 Modeling of High Frequency and High Efficiency GaN HEMT Power Amplifiers Based on the Developed Transistor Model (EEHEMT) 基于已开发晶体管模型的高频高效率GaN HEMT功率放大器建模
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期刊： 作者：Myo Min Thant; Vitaly A. Romanjuk; Lwin Moe Khaing; Naing Htun Lin; Nikolai V. Guminov 出版日期：2019-01-01 |
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