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 Single-Mode CMOS 6T-SRAM Macros With Keeper-Loading-Free Peripherals and Row-Separate Dynamic Body Bias Achieving 2.53fW/bit Leakage for AIoT Sensing Platforms 具有免Keeper-Loading外设和行分离动态体偏置的单模CMOS 6T-SRAM宏，为AIoT传感平台实现2.53 FW/位泄漏
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