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 Dual-Level Enhanced Nonradiative Carrier Recombination in Wide-Gap Semiconductors: The Case of Oxygen Vacancy in SiO2 宽能隙半导体中的双能级增强非辐射载流子复合：SiO2中氧空位的情况
相关领域
半导体
化学
重组
对偶（语法数字）
氧气
带隙
载流子寿命
原子物理学
空位缺陷
化学物理
光化学
光电子学
物理
硅
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基因
文学类
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期刊：Journal of the American Chemical Society 作者：Chen Qiu; Yu Song; Hui‐Xiong Deng; Su‐Huai Wei 出版日期：2023-11-02 |
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