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 A Multi-WL Approach to Suppress Gate-Induced Drain Leakage, Floating Body Effect, and Row Hammer Effect in Array Transistor of 4F2 DRAM and 3D Stackable DRAM 抑制4F2 DRAM和3D可堆叠DRAM阵列晶体管中栅极诱导漏极泄漏、浮体效应和行锤效应的多WL方法
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泄漏（经济）
材料科学
晶体管
光电子学
锤子
电气工程
电子工程
工程类
冶金
电压
宏观经济学
经济
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