Modeling of two-dimensional gain profiles for InP-InGaAs avalanche photodiodes with a stochastic approach

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标题	Modeling of two-dimensional gain profiles for InP-InGaAs avalanche photodiodes with a stochastic approach InP-InGaAs雪崩光电二极管二维增益分布的随机模拟相关领域雪崩光电二极管电场 APDS 泊松方程光电子学材料科学雪崩击穿砷化铟镓光学物理砷化镓击穿电压电压量子力学探测器
网址	https://doi.org/10.1109/3.806597
DOI	10.1109/3.806597 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Yuanzhang Xiao; M. Jamal Deen 出版日期：1999-01-01
求助人	DanYang 在 2025-03-16 23:31:34 发布自上海，悬赏 10 积分
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