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  Steep‐Slope IGZO Transistor Monolithically Integrated with Initialization‐Free Ag/Ti/Hf0.8Zr0.2O2 Atomic Threshold Switch 免初始化Ag/Ti/Hf0.8Zr0.2 O2原子阈值开关单片集成陡坡IGZO晶体管
相关领域
材料科学
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Jun‐Mo Park; Hanggyo Jung; Deokjoon Eom; Heesoo Lee; Hyunhee Kim; et al 出版日期：2024-12-26 |
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