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 Area-selective atomic layer deposition (AS-ALD) of low temperature (300 °C) cobalt thin film using octadecyltrichlorosilane (ODTS) self-assembled monolayers (SAMs) 使用十八烷基三氯硅烷（ODTS）自组装单层（SAMs）的低温（300°C）钴薄膜的区域选择性原子层沉积（AS-ALD）
相关领域
十八烷基三氯氢硅
原子层沉积
单层
自组装单层膜
材料科学
钴
图层（电子）
纳米技术
沉积（地质）
薄膜
化学工程
自组装
冶金
工程类
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沉积物
生物
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期刊：Applied Surface Science 作者：Chaewon Kim; Moonsuk Choi; Ji-Hyun Sim; Hyung-jun Kim; Changhwan Choi 出版日期：2024-04-01 |
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