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 Double Gated a-InGaZnO TFT Properties Based on Quantitative Defect Analysis and Computational Modeling 基于定量缺陷分析和计算模型的双门控a-InGaZnO TFT特性
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hyunmin Hong; Dong‐Joon Yi; Yeon‐Keon Moon; Kyoung‐Seok Son; Jun Hyung Lim; et al 出版日期：2024-01-02 |
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