Low Contact Resistance WSe2 p-Type Transistors with Highly Stable, CMOS-Compatible Dopants

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标题	Low Contact Resistance WSe2 p-Type Transistors with Highly Stable, CMOS-Compatible Dopants 具有高度稳定的CMOS兼容掺杂剂的低接触电阻WSe2 p型晶体管相关领域掺杂剂接触电阻 CMOS芯片材料科学晶体管光电子学纳米技术掺杂剂活化兴奋剂电气工程工程类电压图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c02948
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c02948 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Inha Kim; Naoki Higashitarumizu; I. K. M. Reaz Rahman; Shu Wang; Hyong Min Kim; et al 出版日期：2024-10-18
求助人	Nostalgia_9 在 2024-12-22 19:10:37 发布自浙江，悬赏 10 积分
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