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标题
Integration of CeO2-Based Memristor with Vertically Aligned Nanocomposite Thin Film: Enabling Selective Conductive Filament Formation for High-Performance Electronic Synapses
CeO2基忆阻器与垂直排列的纳米复合薄膜的集成：实现高性能电子突触的选择性导电细丝形成
相关领域
记忆电阻器 神经形态工程学 材料科学 纳米复合材料 电阻随机存取存储器 光电子学 纳米技术 电铸 突触重量 可靠性（半导体） 图层（电子） 电压 电子工程 人工神经网络 计算机科学 电气工程 功率（物理） 人工智能 物理 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.4c10687
AI链接 acs.org osti.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsami.4c10687 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Zedong Hu; Hongyi Dou; Yizhi Zhang; Jianan Shen; L. Ahmad; et al
出版日期：2024-11-15
求助人
Sg 在 2024-12-22 18:56:35 发布自福建，悬赏 10 积分
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