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Self-powered deep ultraviolet PIN photodetectors with excellent response performance based on Ga2O3 epitaxial films grown on p-GaN
基于p-GaN外延Ga2O3薄膜的自供电深紫外PIN光电探测器
相关领域
光电探测器
材料科学
外延
光电子学
紫外线
兴奋剂
图层(电子)
耗尽区
光学
半导体
纳米技术
物理
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Rongrong Chen; Di Wang; Xinyu Han; Bo Feng; Hongyan Zhu; et al 出版日期:2023-08-21 |
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