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 Enhanced luminescence property of GaN-based LEDs with p-InGaN cap layer grown on p-GaN surface 在p-GaN表面生长p-InGaN盖层增强GaN基LED的发光性能
相关领域
材料科学
发光二极管
光电子学
发光
图层（电子）
氮化镓
宽禁带半导体
纳米技术
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Lin Shang; Bingshe Xu; Shufang Ma; Huican Ouyang; Hengsheng Shan; et al 出版日期：2022-08-01 |
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