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 High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h‐BN as a Tunneling Layer 原子厚h-BN作为隧道层的低肖特基势垒接触高迁移率MoS2晶体管
相关领域
量子隧道
肖特基势垒
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二极管
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期刊：Advanced Materials 作者：Jingli Wang; Qian Yao; Chun‐Wei Huang; Xuming Zou; Lei Liao; et al 出版日期：2016-07-08 |
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