标题 |
![]() 用于非易失性存储器应用的基于HfO2薄膜的电子束蒸发方法的免成形RRAM器件
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者:Borish Moirangthem; Pheiroijam Nonglen Meitei; Anil Krishna Debnath; Naorem Khelchand Singh 出版日期:2023-01-26 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |