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 Ni fully silicided gates for 45nm CMOS applications 用于45nm CMOS应用的Ni全硅化栅极
相关领域
硅化物
材料科学
工作职能
电极
光电子学
图层（电子）
掺杂剂
纳米技术
兴奋剂
化学
物理化学
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| 其它 |
期刊：Microelectronic Engineering 作者：J. A. Kittl; A. Lauwers; Małgorzata Pawlak; M.J.H. van Dal; A. Veloso; et al 出版日期：2005-08-31 |
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