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[求助补充材料]
 Orientation‐Selective Memory Switching in Quasi‐1D NbSe3 Neuromorphic Device for Omnibearing Motion Detection 用于全方位运动检测的准一维NbSe3神经形态装置中的方向选择性记忆切换
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
电阻随机存取存储器
方向（向量空间）
各向异性
非易失性存储器
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期刊：Advanced Materials 作者：Ruo‐Yao Sun; Zeyu Hou; Qing Chen; Bingxuan Zhu; Chengyi Zhu; et al 出版日期：2024-11-20 |
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