Proton induced radiation effect of SiC MOSFET under different bias

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标题	Proton induced radiation effect of SiC MOSFET under different bias 不同偏压下SiC MOSFET的质子诱导辐射效应相关领域 MOSFET 通量材料科学辐照质子碳化硅辐射损伤阈值电压偏压电离辐射光电子学晶体管核物理学电压物理冶金量子力学
网址	https://webofscience.clarivate.cn/wos/alldb/full-record/WOS:...
DOI	10.1088/1674-1056/acbe31 doi
求助人	眼睛大大叔在 2024-11-24 21:14:51 发布自江苏，悬赏 10 积分
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