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 AlN quasi-vertical Schottky barrier diode on AlN bulk substrate using Al0.9Ga0.1N current spreading layer AlN块体衬底上AlN准垂直肖特基势垒二极管Al0.9Ga 0.1 N扩流层
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期刊：Applied Physics Express 作者：Takuya Maeda; Ryan Page; Kazuki Nomoto; Masato Toita; Huili Grace Xing; et al 出版日期：2022-05-27 |
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