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Atomic layer deposited TiN capping layer for sub-10 nm ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with large remnant polarization and low thermal budget
具有大剩余极化和低热收支的亚10nm铁电体Hf0.5Zr 0.5 O2的原子层沉积TiN覆盖层
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期刊:Applied Surface Science 作者:Chin-I Wang; Chun-Yuan Wang; Teng-Yuan Chang; Yu-Sen Jiang; Jing‐Jong Shyue; et al 出版日期:2021-09-09 |
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