标题 |
Floating body effects in 0.15 /spl mu/m partially depleted SOI MOSFETs below 1 V
1 V以下0.15/spl mu/m部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应
相关领域
绝缘体上的硅
MOSFET
撞击电离
电压
光电子学
材料科学
电气工程
低压
功率MOSFET
击穿电压
低功耗电子学
功率(物理)
电离
物理
硅
晶体管
离子
工程类
功率消耗
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Takuya Saraya; Makoto Takamiya; Tran Ngoc Duyet; T. Tanaka; Hiroki Ishikuro; et al 出版日期:1996-01-01 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|