High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures

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标题	High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures 基于氢端接金刚石/六方氮化硼异质结构的高迁移率p沟道宽带隙晶体管相关领域材料科学光电子学钻石晶体管带隙异质结宽禁带半导体半导体兴奋剂电子迁移率场效应晶体管电压电气工程工程类复合材料
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-021-00689-4
DOI	10.1038/s41928-021-00689-4 doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Yosuke Sasama; Taisuke Kageura; Masataka Imura; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; et al 出版日期：2021-12-23
求助人	康康在 2024-06-13 16:52:40 发布自湖北，悬赏 10 积分
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