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 Development of n-type epitaxial growth on 200 mm 4H-SiC wafers for the next generation of power devices 下一代功率器件用200 mm 4H-SiC晶片n型外延生长的研究
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Mattia Musolino; E. Carria; Danilo Crippa; Silvio Preti; Mani Azadmand; et al 出版日期：2023-04-01 |
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