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 Doping Limits of Phosphorus, Arsenic, and Antimony in CdTe CdTe中磷、砷、锑的掺杂限值
相关领域
碲化镉光电
锑
兴奋剂
超单元
限制
电离
杂质
电离能
接受者
材料科学
凝聚态物理
化学
原子物理学
无机化学
离子
物理
纳米技术
有机化学
气象学
工程类
雷雨
机械工程
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期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Intuon Chatratin; Baoying Dou; Su‐Huai Wei; Anderson Janotti 出版日期：2023-01-03 |
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