Growth of silicon carbide epitaxial layers on 150-mm-diameter wafers using a horizontal hot-wall chemical vapor deposition

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标题	Growth of silicon carbide epitaxial layers on 150-mm-diameter wafers using a horizontal hot-wall chemical vapor deposition 使用水平热壁化学气相沉积在直径150mm晶片上生长碳化硅外延层相关领域薄脆饼外延化学气相沉积材料科学碳化硅硅沉积（地质）复合材料矿物学图层（电子）光电子学化学地质学沉积物古生物学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.07.025
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2013.07.025 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：K. Masumoto; Chiaki Kudou; Kentaro Tamura; Johji Nishio; Sachiko Ito; et al 出版日期：2013-10-01
求助人	liu 在 2024-09-02 10:29:11 发布自河南，悬赏 10 积分
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