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 Effect of Heavily Doped Boron on Bandgap Narrowing of Strained SiGe Layers 重掺B对应变Si层带隙变窄的影响
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期刊：Chinese Physics Letters 作者：Fei Yao; Xue Chun-Lai; Buwen Cheng; Qiming Wang 出版日期：2007-06-01 |
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