Vanadium Dioxide by Atomic Layer Deposition: A Promising Material for Next-Generation Memory Devices

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标题	Vanadium Dioxide by Atomic Layer Deposition: A Promising Material for Next-Generation Memory Devices 原子层沉积二氧化钒：下一代存储器件的一种有前途的材料
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.4c02192
DOI	10.1021/acs.jpclett.4c02192 doi
其它	期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Thomas Ratier; Salomé Rigollet; Paolo Martins; Patrick Garabedian; Etienne Eustache; David Brunel 出版日期：2024
求助人	直率小霜在 2024-09-19 20:42:37 发布自天津，悬赏 10 积分
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