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 High-quality (001) β-Ga2O3 homoepitaxial growth by metalorganic chemical vapor deposition enabled by in situ indium surfactant 原位铟表面活性剂金属有机化学气相沉积高质量(001)β-Ga_2O_3同质外延
相关领域
铟
金属有机气相外延
化学气相沉积
外延
材料科学
亚氧化物
解吸
带隙
薄膜
分析化学（期刊）
光电子学
纳米技术
化学
硅
物理化学
图层（电子）
吸附
色谱法
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Wenbo Tang; Yongjian Ma; Xiaodong Zhang; Xin Zhou; Li Zhang; et al 出版日期：2022-05-23 |
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