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 Structural characteristics of 3C–SiC thin films grown on Si-face and C-face 4H–SiC substrates by high temperature chemical vapor deposition 高温化学气相沉积法在Si-face和C-face 4H-SiC衬底上生长3C-SiC薄膜的结构特征
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期刊：Vacuum 作者：Zhe Chuan Feng; Hao-Hsiung Lin; Bin Xin; Shi‐Jane Tsai; Vishal Saravade; et al 出版日期：2023-01-01 |
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