| 标题 |
 Study on the effects of rotational and heating methods on the melt flow and crystal growth rate in SiC growth systems by the TSSG method TSSG法研究旋转和加热方式对SiC生长体系熔体流动和晶体生长速率的影响
相关领域
碳化硅
材料科学
晶体生长
增长率
过程（计算）
流量（数学）
Crystal（编程语言）
熔体流动指数
硅
化学
结晶学
光电子学
机械
复合材料
计算机科学
数学
几何学
物理
操作系统
程序设计语言
聚合物
共聚物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：CrystEngComm 作者：Tai Li; Hao Yang; Minpeng Lei; Guangxin Zhang; Mengmeng Yuan; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
大力的冬萱
Kao
cdercder
OK
ale
Avalonx
yjh123
liuzhuohao
arniu2008
lizishu
初景
lx
嘉心糖
Oracle
乐空思
行走的荷尔蒙
学术文献互助
Nole
潇洒的惋清
Copyright
皖公网安备34019202002308
