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 Fabrication and Characterization of MoS2-Based RF Memristor Switches for Terahertz Applications 用于太赫兹应用的MoS2基射频忆阻器开关的制备与表征
相关领域
太赫兹辐射
记忆电阻器
制作
表征（材料科学）
材料科学
光电子学
无线电频率
电气工程
电子工程
计算机科学
工程类
纳米技术
医学
替代医学
病理
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期刊： 作者：Pierre Trousset; Bruno Reig; Lucie Le Van‐Jodin; Clotilde Ligaud; Hanako Okuno; et al 出版日期：2024-09-24 |
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