标题 |
![]() 垂直GaN功率器件:器件原理和制造技术第一部分
相关领域
氮化镓
电力电子
制作
数码产品
功率半导体器件
肖特基二极管
钥匙(锁)
二极管
工程物理
计算机科学
电气工程
材料科学
工程类
纳米技术
图层(电子)
医学
替代医学
病理
电压
计算机安全
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Houqiang Fu; Kai Fu; Srabanti Chowdhury; Tomás Palacios; Yuji Zhao 出版日期:2021-06-03 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|