Interface Ferroelectric Transition near the Gap-Opening Temperature in a Single-Unit-Cell FeSe Film Grown on Nb-DopedSrTiO3Substrate

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标题	Interface Ferroelectric Transition near the Gap-Opening Temperature in a Single-Unit-Cell FeSe Film Grown on Nb-DopedSrTiO3Substrate Nb-dopedSrTiO3衬底上生长的单晶FeSe薄膜在间隙打开温度附近的界面铁电转变相关领域铁电性材料科学兴奋剂接口（物质）凝聚态物理单位（环理论）光电子学物理数学毛细管数电介质数学教育复合材料毛细管作用
网址	https://doi.org/10.1103/physrevlett.114.037002
DOI	10.1103/physrevlett.114.037002 doi
其它	期刊：Physical Review Letters 作者：Yong‐Tao Cui; R. G. Moore; Anxin Zhang; Yong Tian; J. J. Lee; et al 出版日期：2015-01-22
求助人	郑雨霏在 2025-04-21 20:12:04 发布自中国，悬赏 10 积分
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