Over 6 μm thick MOCVD-grown low-background carrier density (1015 cm−3) high-mobility (010) β-Ga2O3 drift layers

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标题	Over 6 μm thick MOCVD-grown low-background carrier density (1015 cm−3) high-mobility (010) β-Ga2O3 drift layers 超过6 μ m厚的MOCVD生长的低背景载流子密度（1015cm−3）高迁移率（010）β-Ga2O3漂移层相关领域金属有机气相外延三乙基镓外延材料科学化学气相沉积掺杂剂分析化学（期刊）兴奋剂电子迁移率光电子学化学图层（电子）纳米技术色谱法
网址	https://doi.org/10.1063/5.0188773
DOI	10.1063/5.0188773 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Arkka Bhattacharyya; Carl Peterson; Kittamet Chanchaiworawit; Saurav Roy; Yizheng Liu; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	清爽的梦菡在 2024-11-04 17:18:08 发布自浙江，悬赏 10 积分
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