Negative bias instability in 4H-SiC MOSFETS: Evidence for structural changes in the SiC

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标题	Negative bias instability in 4H-SiC MOSFETS: Evidence for structural changes in the SiC 4H-SiC MOSFETS的负偏压不稳定性：SiC结构变化的证据相关领域负偏压温度不稳定性材料科学 MOSFET 光电子学碳化硅电介质硅工程物理栅氧化层凝聚态物理扩散氧化物不稳定性电气工程晶体管电压物理工程类复合材料热力学冶金机械
网址	https://doi.org/10.1109/irps.2015.7112718
DOI	10.1109/irps.2015.7112718 doi
其它	期刊：作者：Mark Anders; P. M. Lenahan; Aivars J. Lelis 出版日期：2015-04-01
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