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 Schottky-barrier formation on a covalent semiconductor without Fermi-level pinning: The metal-MoS2(0001) interface 无费米能级钉扎的共价半导体肖特基势垒形成：金属-MoS2（0001）界面
相关领域
电负性
X射线光电子能谱
材料科学
肖特基势垒
费米能级
半导体
金属
异质结
肖特基二极管
带材弯曲
分析化学（期刊）
凝聚态物理
结晶学
物理
化学
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冶金
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期刊：Physical review. B, Condensed matter 作者：Jeffrey R. Lince; D. J. Carré; Paul D. Fleischauer 出版日期：1987-07-15 |
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