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Area dependence of TDDB characteristics for HfO2 gate dielectrics
OfO2门极位准分子TDDB特性的面积依赖性
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网址
https://doi.org/10.1109/led.2002.803751
DOI
10.1109/led.2002.803751 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Young Hee Kim; K. Onishi; Chang Seok Kang; Hag‐Ju Cho; R. Nieh; et al
出版日期：2002-10-01
求助人
沈家宁 在 2024-11-20 17:24:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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