A physics-based modeling method for DC characteristics of GaN HEMTs with conventional, dual-, and tri-gate

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标题	A physics-based modeling method for DC characteristics of GaN HEMTs with conventional, dual-, and tri-gate 基于物理的常规、双栅和三栅GaN HEMT直流特性建模方法相关领域对偶（语法数字）高电子迁移率晶体管物理光电子学工程物理材料科学计算机科学晶体管量子力学电压艺术文学类
网址	https://doi.org/10.1088/1402-4896/adb917
DOI	10.1088/1402-4896/adb917 doi
其它	期刊：Physica Scripta 作者：Ashu Wang; Lingyan Zeng 出版日期：2025-02-21
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