Sub-5-nm MonolayerGaSe MOSFET with Ultralow Subthreshold Swing and HighOn-State Current: Dielectric Layer Effects

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标题	Sub-5-nm MonolayerGaSe MOSFET with Ultralow Subthreshold Swing and HighOn-State Current: Dielectric Layer Effects 具有超低亚阈值摆幅和高导通态电流的亚5纳米单层气体MOSFET：电介质层效应相关领域材料科学电介质基质（水族馆）凝聚态物理光电子学物理海洋学地质学
网址	https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevApplied.18.04401...
DOI	10.1103/physrevapplied.18.044012 doi
其它	期刊：Physical Review Applied 作者：Xueping Li; Peize Yuan; Lin Li; Mengjie He; Jingbo Li; Congxin Xia 出版日期：2022-10-06
求助人	Serenity12138 在 2024-11-27 17:07:47 发布自山东，悬赏 10 积分
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