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Bilayer gate dielectric of ZrO2 and Ho2O3 on 4H–SiC substrate: structural and electrical characterization
4H-SiC衬底上ZrO2和Ho2O3双层栅介质的结构和电学表征
相关领域
材料科学
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期刊:Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者:Ahmad Hafiz Jafarul Tarek; Tahsin Ahmed Mozaffor Onik; Chin Wei Lai; Bushroa Abd Razak; Hing Wah Lee; et al 出版日期:2024-11-26 |
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