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标题
Record Performance in GAA 2D NMOS and PMOS Using Monolayer MoS2 and WSe2 with Scaled Contact and Gate Length
使用具有缩放接触和栅极长度的单层MoS2和WSe2记录GAA 2D NMOS和PMOS中的性能
相关领域
NMOS逻辑 PMOS逻辑 单层 材料科学 光电子学 逻辑门 MOSFET 纳米技术 晶体管 电气工程 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631...
DOI
10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631395 doi
其它 期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)
作者：Wouter Mortelmans; Pratyush Buragohain; Carly Rogan; A. Kitamura; C. J. Dorow; et al
出版日期：2024-06-16
求助人
动听的时光 在 2025-01-24 10:03:00 发布自上海，悬赏 10 积分
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