| 标题 |
 Investigation of non-volatile and photoelectric storage characteristics for MoS2/h-BN/graphene heterojunction floating-gate transistor with the different tunneling layer thicknesses 不同隧道层厚度MoS2/h-BN/石墨烯异质结浮栅晶体管的非易失性和光电存储特性研究
相关领域
晶体管
材料科学
光电子学
异质结
石墨烯
光电效应
电压
纳米技术
电气工程
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
tuanheqi
cocolu
Ganlou
彭于彦祖
小鱼爱吃肉
无名老大
学术通zzz
mhl11
lalala
kk
tomorrow505
pluto
Yang
三月聚粮
HEIKU
子车茗
带头大哥
shinysparrow
不懈奋进
蒋时晏
皖公网安备34019202002308
