标题 |
Low threading dislocation density GaAs growth on on-axis GaP/Si (001)
同轴GaP/Si(001)上低穿线位错密度GaAs生长
相关领域
材料科学
位错
光致发光
光电子学
退火(玻璃)
分子束外延
外延
表面粗糙度
硅
带隙
基质(水族馆)
砷化镓
图层(电子)
纳米技术
复合材料
地质学
海洋学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:Daehwan Jung; Patrick G. Callahan; B. Shin; Kunal Mukherjee; A. C. Gossard; et al 出版日期:2017-12-12 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|