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标题
Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
卤化物气相外延n-Ga2O3漂移层上Pt/Ga2O3（001）肖特基势垒二极管的温度相关电容-电压和电流-电压特性
相关领域
热离子发射 肖特基二极管 肖特基势垒 二极管 大气温度范围 材料科学 光电子学 金属半导体结 外延 分析化学（期刊） 化学 纳米技术 图层（电子） 物理 电子 气象学 量子力学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1063/1.4945267
DOI
10.1063/1.4945267 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Masataka Higashiwaki; Keita Konishi; Kohei Sasaki; Ken Goto; Kazushiro Nomura; et al
出版日期：2016-03-28
求助人
小舒 在 2024-12-18 20:22:59 发布自河南，悬赏 10 积分
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