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标题
Effects of Ta incorporation in La2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor
掺入Ta对InGaZnO薄膜晶体管La2O3栅介质的影响
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网址
https://doi.org/10.1063/1.4869761
AI链接 handle.net edu.hkdoi.org
DOI
10.1063/1.4869761 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：L. X. Qian; P. T. Lai; Wing Man Tang
出版日期：2014-03-24
求助人
火星上的若颜 在 2025-02-27 15:27:34 发布自山东，悬赏 10 积分
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