| 标题 |
Innovative semiconductors by band gap engineering and anionic manipulation
带隙工程和阴离子操纵的创新半导体
相关领域
半导体
工程类
材料科学
工程物理
纳米技术
光电子学
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| 网址 | |
| DOI |
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| 其它 |
期刊：HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) 作者：Batoul Almoussawi 出版日期：2021-12-15 |
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