Threading dislocation increase in the initial stage of growth of nitrogen and boron co-doped 4H-SiC by physical vapor transport

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标题	Threading dislocation increase in the initial stage of growth of nitrogen and boron co-doped 4H-SiC by physical vapor transport 氮硼共掺杂4H-SiC物理气相输运生长初期的螺纹位错增加相关领域升华（心理学）硼材料科学位错兴奋剂碳化硼氮气结晶学分析化学（期刊）晶体生长冶金化学复合材料光电子学色谱法有机化学心理治疗师心理学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126876
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2022.126876 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Hiromasa Suo; Kazuma Eto; Hiroshi Osawa; Tomohisa Kato; Hajime Okumura 出版日期：2022-11-01
求助人	任风在 2024-10-08 16:29:42 发布自山东，悬赏 10 积分
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