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 Buffer Layer Engineering of Indium Oxide Based Trench TFT for Ultra High Current Driving 用于超高电流驱动的氧化铟基沟槽TFT缓冲层设计
相关领域
薄膜晶体管
符号
图层（电子）
计算机科学
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纳米技术
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yun‐Taek Im; Seong‐In Cho; Jingyu Kim; Namgyu Woo; Joong Hyup Ko; et al 出版日期：2023-11-01 |
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