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 AlN/GaN MISHEMTs on Si with in-situ SiN as a gate dielectric for power amplifiers in mobile SoCs 移动SoC功率放大器用原位SiN作为栅极电介质的Si上AlN/GaN MISHEMTs
相关领域
材料科学
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高电子迁移率晶体管
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期刊：Applied physics express 作者：Hanlin Xie; Zhihong Liu; Wenrui Hu; Yu Gao; Hui Teng Tan; et al 出版日期：2021-12-22 |
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